UNR511600L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR511600L概述

SMini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMini3-G1

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-G1

UNR511600L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买UNR511600L

型号： UNR511600L

描述：SMini3-G1 PNP 50V 100mA

替代型号UNR511600L