UNR5116G0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR5116G0L概述

SMini3-F2 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMini3-F2 T/R

UNR5116G0L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： UNR5116G0L

描述：SMini3-F2 PNP 50V 100mA