UNR511900L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR511900L概述

SMini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMini3-G1

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

UNR511900L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买UNR511900L

型号： UNR511900L

描述：SMini3-G1 PNP 50V 100mA

替代型号UNR511900L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UNR511900L Panasonic 松下	当前型号	当前型号
UNR5119G0L 松下	类似代替	UNR511900L和UNR5119G0L的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

UNR511900L

Panasonic 松下

当前型号

UNR5119G0L

松下

类似代替