UMZ1NT1G

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UMZ1NT1G概述

互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

- 双极 BJT - 阵列 NPN,PNP 50V 200mA 114MHz,142MHz 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


立创商城:
UMZ1NT1G


得捷:
TRAN NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70


欧时:
ON Semiconductor, UMZ1NT1G


e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 250 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-70


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  UMZ1NT1G  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 250 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-70


Win Source:
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363


UMZ1NT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 114 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 3

极性 NPN, PNP

耗散功率 250 mW

集电极击穿电压 50.0 V

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-6

外形尺寸

宽度 1.25 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UMZ1NT1G引脚图与封装图
UMZ1NT1G引脚图
UMZ1NT1G封装焊盘图
在线购买UMZ1NT1G
型号: UMZ1NT1G
描述:互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
替代型号UMZ1NT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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