互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
- 双极 BJT - 阵列 NPN,PNP 50V 200mA 114MHz,142MHz 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
立创商城:
UMZ1NT1G
得捷:
TRAN NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
欧时:
ON Semiconductor, UMZ1NT1G
e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 250 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-70
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 6-Pin SC-88 T/R
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Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
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# ON SEMICONDUCTOR UMZ1NT1G Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 250 mW, 200 mA, 200 hFE, SC-70
Win Source:
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
频率 114 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 250 mW
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-6
宽度 1.25 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UMZ1NT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
UMZ1NT1 安森美 | 类似代替 | UMZ1NT1G和UMZ1NT1的区别 |
BC847BPDW1T1G 安森美 | 功能相似 | UMZ1NT1G和BC847BPDW1T1G的区别 |
UMX1NTN 罗姆半导体 | 功能相似 | UMZ1NT1G和UMX1NTN的区别 |