UMC5NT1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 35/140 150mW/0.15W SOT-353/SC-88A/SC70-5 标记U5E 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 0.47 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 35/140 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors • NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network • Pb−Free Packages are Available • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel 描述与应用| 特点 •双共基极 - 集电极偏置电阻 •NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •无铅包可用 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •可在8毫米,7 inch/3000单位编带和卷轴
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压 50.0 V
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 150 mW
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 50.0 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-5
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-5
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UMC5NT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
UMC5NT1 安森美 | 类似代替 | UMC5NT1G和UMC5NT1的区别 |
UMC5NTR 罗姆半导体 | 功能相似 | UMC5NT1G和UMC5NTR的区别 |