UMC5NT1G

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UMC5NT1G概述

UMC5NT1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 35/140 150mW/0.15W SOT-353/SC-88A/SC70-5 标记U5E 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 0.47 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 35/140 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features • Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors • NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network • Pb−Free Packages are Available • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel 描述与应用| 特点 •双共基极 - 集电极偏置电阻 •NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •无铅包可用 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •可在8毫米,7 inch/3000单位编带和卷轴

UMC5NT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

击穿电压 50.0 V

极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 150 mW

集电极击穿电压 50.0 V

击穿电压集电极-发射极 50.0 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-5

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 -

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买UMC5NT1G
型号: UMC5NT1G
描述:UMC5NT1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 35/140 150mW/0.15W SOT-353/SC-88A/SC70-5 标记U5E 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
替代型号UMC5NT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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