US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT图片1
US1K-E3/5AT图片2
US1K-E3/5AT图片3
US1K-E3/5AT图片4
US1K-E3/5AT概述

DIODE 1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified


得捷:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC


艾睿:
Diode Switching 800V 1A 2-Pin SMA T/R


富昌:
US1K Series 800 V 1 A Surface Mount Ultrafast Rectifier - DO-214AC


US1K-E3/5AT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @1A

反向恢复时间 75 ns

正向电压Max 1.7V @1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US1K-E3/5AT
型号: US1K-E3/5AT
描述:DIODE 1A, 800V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode
替代型号US1K-E3/5AT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

US1K-E3/5AT

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

MRA4006T3G

安森美

功能相似

US1K-E3/5AT和MRA4006T3G的区别

US1K-13-F

美台

功能相似

US1K-E3/5AT和US1K-13-F的区别

STTH108A

意法半导体

功能相似

US1K-E3/5AT和STTH108A的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台