UPA678TB-T1-A

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UPA678TB-T1-A中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.17 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -250 mA to 250 mA

上升时间 39 ns

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-88-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-88-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA678TB-T1-A
型号: UPA678TB-T1-A
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6Pin SC-88 T/R

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