UPA677TB-T1-A概述
N沟道MOS场效应晶体管开关 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 350mA 200mW Surface Mount SC-88
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.35A SC-88
贸泽:
MOSFET DUAL MOSFET NCH SC-886PINSUPE
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.35A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.35A SC-88
UPA677TB-T1-A中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -350 mA to 350 mA
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 28pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 87 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-88-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UPA677TB-T1-A引脚图与封装图 
在线购买UPA677TB-T1-A
型号： UPA677TB-T1-A
制造商：
Renesas Electronics
瑞萨电子
描述：N沟道MOS场效应晶体管开关 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING