ULN2004APGO,M

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ULN2004APGO,M中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: ULN2004APGO,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:PDIP NPN 50V 0.5A

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