UPA2660T1R-E2-AX

UPA2660T1R-E2-AX概述

双N沟道MOSFET的20 V , 4.0 A, 42米 DUAL N-CHANNEL MOSFET 20 V, 4.0 A, 42 m

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 4A 2.3W 表面贴装型 6-HUSON(2x2)


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON2020


UPA2660T1R-E2-AX中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 330pF @10VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 6.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerWDFN-6

外形尺寸

封装 PowerWDFN-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA2660T1R-E2-AX
型号: UPA2660T1R-E2-AX
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:双N沟道MOSFET的20 V , 4.0 A, 42米 DUAL N-CHANNEL MOSFET 20 V, 4.0 A, 42 m

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