高电压大CRRENT达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CRRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Higher current yields within your circuit is what you will get with Texas Instruments" NPN Darlington transistor. This product"s maximum continuous DC collector current is 0.5 A. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.2@0.25mA@0.1A|1.4@0.35mA@0.2A|1.7@0.5mA@0.35A V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 105 °C.
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
输出接口数 7
极性 NPN
耗散功率 950 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
驱动器/包 7
集电极最大允许电流 0.5A
输出电流Max 500 mA
额定功率Max 950 mW
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
长度 9.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
ULQ2003ATDQ1 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
ULN2003AIDR 德州仪器 | 完全替代 | ULQ2003ATDQ1和ULN2003AIDR的区别 |
ULQ2003ATDRQ1 德州仪器 | 完全替代 | ULQ2003ATDQ1和ULQ2003ATDRQ1的区别 |
ULN2003AIPWR 德州仪器 | 完全替代 | ULQ2003ATDQ1和ULN2003AIPWR的区别 |