ULQ2003ATDQ1

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ULQ2003ATDQ1概述

高电压大CRRENT达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CRRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

Higher current yields within your circuit is what you will get with Texas Instruments" NPN Darlington transistor. This product"s maximum continuous DC collector current is 0.5 A. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.2@0.25mA@0.1A|1.4@0.35mA@0.2A|1.7@0.5mA@0.35A V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 105 °C.

ULQ2003ATDQ1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

输出接口数 7

极性 NPN

耗散功率 950 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

驱动器/包 7

集电极最大允许电流 0.5A

输出电流Max 500 mA

额定功率Max 950 mW

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

ULQ2003ATDQ1引脚图与封装图
ULQ2003ATDQ1引脚图
ULQ2003ATDQ1封装图
ULQ2003ATDQ1封装焊盘图
在线购买ULQ2003ATDQ1
型号: ULQ2003ATDQ1
制造商: TI 德州仪器
描述:高电压大CRRENT达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CRRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
替代型号ULQ2003ATDQ1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ULQ2003ATDQ1

TI 德州仪器

当前型号

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ULN2003AIDR

德州仪器

完全替代

ULQ2003ATDQ1和ULN2003AIDR的区别

ULQ2003ATDRQ1

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完全替代

ULQ2003ATDQ1和ULQ2003ATDRQ1的区别

ULN2003AIPWR

德州仪器

完全替代

ULQ2003ATDQ1和ULN2003AIPWR的区别

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