ULN2003APGC,N,HZA

ULN2003APGC,N,HZA图片1
ULN2003APGC,N,HZA图片2
ULN2003APGC,N,HZA图片3
ULN2003APGC,N,HZA图片4
ULN2003APGC,N,HZA概述

集成电路

If you require a higher current gain value in your circuit, then the NPN Darlington transistor, developed by , is for you. This product"s maximum continuous DC collector current is 0.5 A, while its minimum DC current gain is 1000@350mA@2 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V. Its maximum power dissipation is 1470 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -40 °C to 85 °C.

ULN2003APGC,N,HZA中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.47 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1470 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 16

封装 DIP-16

外形尺寸

封装 DIP-16

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ULN2003APGC,N,HZA
型号: ULN2003APGC,N,HZA
制造商: Toshiba 东芝
描述:集成电路

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台