UESD5.0DT5G

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UESD5.0DT5G概述

ON SEMICONDUCTOR  UESD5.0DT5G  二极管阵列, TVS, 5V, SOT-723

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5.0V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.2V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.24W/240mW Description & Applications| Features: • ESD Protection Diodes In Ultra Small SOT−723 Package • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″ 1.20 mm x 0.80 mm • Low Body Height: 0.020″ 0.5 mm • Stand−off Voltage: 3.3 V − 6.0 V • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • These are Pb−Free Devices 描述与应用| 特点: •超小型SOT-723封装的ESD保护 •小体外形尺寸:0.047“×0.032”(1.20毫米x0.80毫米) •低身高:0.020“(0.5毫米) •待机电压:3.3 V - 6.0 V •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类(16千伏) •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •这些都是Pb-Free设备

UESD5.0DT5G中文资料参数规格
技术参数

电容 38 pF

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 6.2 V

针脚数 3

耗散功率 240 mW

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 6.2 V

脉冲峰值功率 0.24 W

最小反向击穿电压 6.2 V

击穿电压 6.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

长度 1.25 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买UESD5.0DT5G
型号: UESD5.0DT5G
描述:ON SEMICONDUCTOR  UESD5.0DT5G  二极管阵列, TVS, 5V, SOT-723
替代型号UESD5.0DT5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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