UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 3.7 ns

输入电容Ciss 640pF @10VVds

额定功率Max 1.12 W

下降时间 5.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1120 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA3753GR-E1-AT
型号: UPA3753GR-E1-AT
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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