UPA810T-T1-A

UPA810T-T1-A图片1
UPA810T-T1-A图片2
UPA810T-T1-A图片3
UPA810T-T1-A图片4
UPA810T-T1-A图片5
UPA810T-T1-A图片6
UPA810T-T1-A概述

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6Pin SOT-363 T/R

RF 2 NPN(双) 12V 100mA 4.5GHz 200mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363


艾睿:
Compared to other transistors, the UPA810T-T1-A RF bi-polar junction transistor, developed by California Eastern Laboratories, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363 Embossed T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN FT=4.5GHZ SOT363


Win Source:
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363


UPA810T-T1-A中文资料参数规格
技术参数

频率 4500 MHz

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 9 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @7mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买UPA810T-T1-A
型号: UPA810T-T1-A
制造商: California Eastern Laboratories
描述:Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6Pin SOT-363 T/R
替代型号UPA810T-T1-A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UPA810T-T1-A

California Eastern Laboratories

当前型号

当前型号

UPA810T-A

California Eastern Laboratories

类似代替

UPA810T-T1-A和UPA810T-A的区别

UPA810T-T1

California Eastern Laboratories

功能相似

UPA810T-T1-A和UPA810T-T1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台