UPA806 系列 6 V 12 GHz 双 NPN 高频 晶体管 - SOIC-6
RF 2 NPN(双) 6V 30mA 12GHz 200mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363
艾睿:
Superior characteristics of this UPA806T-T1-A RF amplifier from California Eastern Laboratories make it perfect for operating at higher RF frequency ranges than RF MOSFETS. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R
富昌:
UPA806 系列 6 V 12 GHz 双 NPN 高频 晶体管 - SOIC-6
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN FT=12GHZ SOT363
Win Source:
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363
额定电压DC 6.00 V
额定电流 30.0 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 6 V
增益 8.5 dB
最小电流放大倍数hFE 75 @10mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
封装 TSSOP-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UPA806T-T1-A California Eastern Laboratories | 当前型号 | 当前型号 |
UPA806T-T1 California Eastern Laboratories | 完全替代 | UPA806T-T1-A和UPA806T-T1的区别 |
UPA806T-A California Eastern Laboratories | 功能相似 | UPA806T-T1-A和UPA806T-A的区别 |