UPA814T-T1-A参数规格_中文资料_数据手册PDF

UPA814T-T1-A概述

射频RF双极晶体管 NPN High Frequency

RF Transistor 2 NPN Dual 6V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount 6-SO

得捷:
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN High Frequency

艾睿:
Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R

UPA814T-T1-A中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 110 mW

集电极击穿电压 9.00 V

击穿电压集电极-发射极 6 V

增益 6.50 dB

最小电流放大倍数hFE 80 @3mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA814T-T1-A

型号： UPA814T-T1-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：射频RF双极晶体管 NPN High Frequency