UGB8BT-E3/45参数规格_中文资料_数据手册PDF

UGB8BT-E3/45概述

DIODE 8A 100V 20NS SGL TO263AB

Diode Standard 100V 8A Surface Mount TO-263AB

得捷:
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

贸泽:
Rectifiers 100 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM

艾睿:
Diode Switching 100V 8A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

UGB8BT-E3/45中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1V @8A

反向恢复时间 30 ns

正向电流 8 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 9.14 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UGB8BT-E3/45

型号： UGB8BT-E3/45

描述：DIODE 8A 100V 20NS SGL TO263AB

替代型号UGB8BT-E3/45

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UGB8BT-E3/45 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
UGB8BT-E3/81 威世	完全替代	UGB8BT-E3/45和UGB8BT-E3/81的区别
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