UGB8BT-E3/81

UGB8BT-E3/81图片1
UGB8BT-E3/81图片2
UGB8BT-E3/81图片3
UGB8BT-E3/81图片4
UGB8BT-E3/81概述

Diode Switching 100V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

Diode Standard 100V 8A Surface Mount TO-263AB


得捷:
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB


艾睿:
Diode Switching 100V 8A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


安富利:
Diode Switching 100V 8A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


AMEYA360:
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB


UGB8BT-E3/81中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @8A

反向恢复时间 30 ns

正向电压Max 1V @8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UGB8BT-E3/81
型号: UGB8BT-E3/81
描述:Diode Switching 100V 8A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R
替代型号UGB8BT-E3/81
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UGB8BT-E3/81

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

UGB8BT-E3/45

威世

完全替代

UGB8BT-E3/81和UGB8BT-E3/45的区别

UGB8BTHE3/81

威世

完全替代

UGB8BT-E3/81和UGB8BTHE3/81的区别

UGB8BTHE3/45

威世

完全替代

UGB8BT-E3/81和UGB8BTHE3/45的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台