UPA2739T1A-E2-AY

UPA2739T1A-E2-AY概述

P沟道MOSFET -30 V, -85 A, 2.8米 P-channel MOSFET -30 V, -85 A, 2.8 m

表面贴装型 P 通道 30 V 85A(Ta) 1.5W(Ta) 8-HVSON(5x5.4)


得捷:
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin HVSON EP T/R


Win Source:
P-channel MOSFET -30 V, -85 A, 2.8 m | MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON


UPA2739T1A-E2-AY中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 6050pF @10VVds

下降时间 490 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HVSON-8

外形尺寸

封装 HVSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买UPA2739T1A-E2-AY
型号: UPA2739T1A-E2-AY
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:P沟道MOSFET -30 V, -85 A, 2.8米 P-channel MOSFET -30 V, -85 A, 2.8 m

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