UPA2765T1A-E2-AY

UPA2765T1A-E2-AY概述

N沟道MOSFET 30 V , 100 A, 1.3米 N-channel MOSFET 30 V, 100 A, 1.3 m

表面贴装型 N 通道 30 V 100A(Ta) 1.5W(Ta),83W(Tc) 8-HVSON(5x5.4)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A 8HVSON


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin HVSON EP T/R


UPA2765T1A-E2-AY中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.5W Ta, 83W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 6550pF @10VVds

耗散功率Max 1.5W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 HVSON-8

外形尺寸

封装 HVSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买UPA2765T1A-E2-AY
型号: UPA2765T1A-E2-AY
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:N沟道MOSFET 30 V , 100 A, 1.3米 N-channel MOSFET 30 V, 100 A, 1.3 m

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