UPA810T-A

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UPA810T-A概述

射频RF双极晶体管 NPN High Frequency

RF 2 NPN(双) 12V 100mA 4.5GHz 200mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN High Frequency


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin SOT-363


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 4.5GHZ SOT363


UPA810T-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 110 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 9 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @7mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA810T-A
型号: UPA810T-A
制造商: California Eastern Laboratories
描述:射频RF双极晶体管 NPN High Frequency
替代型号UPA810T-A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UPA810T-A

California Eastern Laboratories

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California Eastern Laboratories

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