UGB5JT-E3/45

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UGB5JT-E3/45概述

高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery time

• Soft recovery characteristics

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C for TO-263AB package

• Solder dip 260 °C, 40 s for TO-220AC and ITO-220AC package

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB


贸泽:
整流器 600 Volt 5.0A 25ns 65 Amp IFSM


艾睿:
Diode Switching 600V 5A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube


UGB5JT-E3/45中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.75V @5A

反向恢复时间 50 ns

正向电压Max 1.75V @5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 9.14 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UGB5JT-E3/45
型号: UGB5JT-E3/45
描述:高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier
替代型号UGB5JT-E3/45
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UGB5JT-E3/45

Vishay Semiconductor 威世

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完全替代

UGB5JT-E3/45和UGB5JT-E3/81的区别

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