UPA811T-T1-A

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UPA811T-T1-A概述

Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 6Pin SOT-363 T/R

RF 2 NPN(双) 10V 35mA 8GHz 200mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363


UPA811T-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 7.5 dB

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA811T-T1-A
型号: UPA811T-T1-A
制造商: California Eastern Laboratories
描述:Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 6Pin SOT-363 T/R
替代型号UPA811T-T1-A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UPA811T-T1-A

California Eastern Laboratories

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完全替代

UPA811T-T1-A和UPA811T-A的区别

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