UPA802T-A参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

UPA802T-A图片1

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UPA802T-A概述

Trans RF BJT NPN 10V 0.065A 6Pin SOT-363

RF 2 NPN（双） 10V 65mA 7GHz 200mW 表面贴装型 SOT-363

得捷:
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency

艾睿:
Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 6-Pin SOT-363

安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 6-Pin SOT-363

Win Source:
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

UPA802T-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @7mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UPA802T-A

型号： UPA802T-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：Trans RF BJT NPN 10V 0.065A 6Pin SOT-363

替代型号UPA802T-A

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

UPA802T-A

California Eastern Laboratories

当前型号

当前型号

UPA802T-T1-A

California Eastern Laboratories

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UPA802T-A和UPA802T-T1-A的区别