UPA800T-T1

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UPA800T-T1概述

射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ

RF 2 NPN(双) 10V 35mA 8GHz 200mW 表面贴装型 6-SO


得捷:
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO


贸泽:
射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363


UPA800T-T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买UPA800T-T1
型号: UPA800T-T1
制造商: California Eastern Laboratories
描述:射频RF双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
替代型号UPA800T-T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UPA800T-T1

California Eastern Laboratories

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