UPA810T-T1

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UPA810T-T1概述

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6Pin SOT-363 T/R

RF 2 NPN(双) 12V 100mA 4.5GHz 200mW 表面贴装型 6-SO


得捷:
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO


艾睿:
If you are dealing with high radio frequency input power, California Eastern Laboratories&s; UPA810T-T1 RF bi-polar junction transistor is for you. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Win Source:
TRANS NPN HF FT=4.5GHZ SOT-363


UPA810T-T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 7dB ~ 9dB

最小电流放大倍数hFE 70 @7mA, 3V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买UPA810T-T1
型号: UPA810T-T1
制造商: California Eastern Laboratories
描述:Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 6Pin SOT-363 T/R
替代型号UPA810T-T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UPA810T-T1

California Eastern Laboratories

当前型号

当前型号

UPA810T-T1-A

California Eastern Laboratories

功能相似

UPA810T-T1和UPA810T-T1-A的区别

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