US1B-E3/5AT

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US1B-E3/5AT概述

DIODE 1A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified


得捷:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC


艾睿:
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R


安富利:
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R


US1B-E3/5AT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @1A

反向恢复时间 50 ns

正向电压Max 1V @1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US1B-E3/5AT
型号: US1B-E3/5AT
描述:DIODE 1A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin, Signal Diode
替代型号US1B-E3/5AT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

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完全替代

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