









TEXAS INSTRUMENTS UCC27516DRST 驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 13ns延迟, SON-6
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON
立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A
德州仪器TI:
4-A/4-A single-channel gate driver with 5-V UVLO and 13-ns prop delay in SON package
欧时:
Texas Instruments UCC27516DRST MOSFET 功率驱动器, 4A, 4.5 → 18 V电源, 6引脚 SON封装
e络盟:
驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 13ns延迟, SON-6
艾睿:
Driver 4A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
安富利:
MOSFET DRVR 4A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
Chip1Stop:
Driver 4A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
Verical:
Driver 4A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS UCC27516DRST DRIVER, GATE, LS/HS, 18V, 4A, 6SON
Win Source:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON / Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 6-SON 3x3
电源电压DC 4.50V min
上升/下降时间 8ns, 7ns
输出接口数 1
针脚数 6
上升时间 22 ns
下降时间 11 ns
下降时间Max 11 ns
上升时间Max 22 ns
工作温度Max 140 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 3.15 mm
宽度 3.15 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -40℃ ~ 140℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UCC27516DRST TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
UCC27516DRSR 德州仪器 | 功能相似 | UCC27516DRST和UCC27516DRSR的区别 |