UCC27516DRST

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UCC27516DRST概述

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27516DRST  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 13ns延迟, SON-6

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A


德州仪器TI:
4-A/4-A single-channel gate driver with 5-V UVLO and 13-ns prop delay in SON package


欧时:
Texas Instruments UCC27516DRST MOSFET 功率驱动器, 4A, 4.5 → 18 V电源, 6引脚 SON封装


e络盟:
驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 13ns延迟, SON-6


艾睿:
Driver 4A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


安富利:
MOSFET DRVR 4A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Chip1Stop:
Driver 4A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Verical:
Driver 4A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27516DRST  DRIVER, GATE, LS/HS, 18V, 4A, 6SON


Win Source:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON / Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 6-SON 3x3


UCC27516DRST中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 8ns, 7ns

输出接口数 1

针脚数 6

上升时间 22 ns

下降时间 11 ns

下降时间Max 11 ns

上升时间Max 22 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

UCC27516DRST引脚图与封装图
UCC27516DRST引脚图
UCC27516DRST封装图
UCC27516DRST封装焊盘图
在线购买UCC27516DRST
型号: UCC27516DRST
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  UCC27516DRST  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 13ns延迟, SON-6
替代型号UCC27516DRST
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UCC27516DRST

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

UCC27516DRSR

德州仪器

功能相似

UCC27516DRST和UCC27516DRSR的区别

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