UCC27511DBVT

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UCC27511DBVT概述

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27511DBVT  芯片, MOSFET驱动器, 低压侧, 6-SOT-23

磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas Instruments

Texas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。


欧时:
Texas Instruments UCC27511DBVT MOSFET 功率驱动器, 8A, 4.5 to 18 V电源, 6引脚 SOT-23封装


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:8A


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6


德州仪器TI:
4-A/8-A single-channel gate driver with 5-V UVLO, split outputs, and 13-ns Prop delay


贸泽:
Gate Drivers 4A/8A Sgl Ch Hi-Spd Low-side Gate Driver


e络盟:
驱动器芯片, 低压侧, 4.5V-18V电源, 8A输出, 13ns延迟, SOT-23-6


艾睿:
Driver 8A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R


安富利:
MOSFET DRVR 8A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Driver 8A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Driver 8A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27511DBVT  MOSFET Driver Low Side, 4.5V-18V supply, 8A peak out, 5 Ohm output, SOT-23-6


UCC27511DBVT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 8ns, 7ns

输出接口数 1

输出电流 8 A

针脚数 6

上升时间 9 ns

下降时间 7 ns

下降时间Max 11 ns

上升时间Max 22 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.75 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 替代能源, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UCC27511DBVT引脚图与封装图
UCC27511DBVT引脚图
UCC27511DBVT封装图
UCC27511DBVT封装焊盘图
在线购买UCC27511DBVT
型号: UCC27511DBVT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  UCC27511DBVT  芯片, MOSFET驱动器, 低压侧, 6-SOT-23
替代型号UCC27511DBVT
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