













TEXAS INSTRUMENTS UCC27524D 门驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas Instruments
Texas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
欧时:
磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:5A 拉:5A
德州仪器TI:
5-A/5-A dual-channel gate driver with 5-V UVLO, enable, and 1-ns delay Matching
e络盟:
门驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
艾睿:
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
安富利:
MOSFET DRVR 5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:
Driver 5A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Newark:
GATE DVR, LOW SIDE, DUAL, 5A, 8SOIC
电源电压DC 4.50V min
上升/下降时间 7ns, 6ns
输出接口数 2
针脚数 8
上升时间 18 ns
下降时间 10 ns
下降时间Max 10 ns
上升时间Max 18 ns
工作温度Max 140 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 140℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 电机驱动与控制, 替代能源, 信号处理, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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