UCC27424DR

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UCC27424DR概述

双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable

Ideal for high voltage transistors this power driver manufactured by Texas Instruments will help switch junction. This device has a maximum propagation delay time of 150 ns and a maximum power dissipation of 650 mW. Its maximum power dissipation is 650 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 105 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4 V and a maximum of 15 V.

UCC27424DR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 20ns, 15ns

输出接口数 2

耗散功率 0.65 W

上升时间 40 ns

下降时间 40 ns

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 40 ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 650 mW

电源电压 4V ~ 15V

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UCC27424DR引脚图与封装图
UCC27424DR引脚图
UCC27424DR封装图
UCC27424DR封装焊盘图
在线购买UCC27424DR
型号: UCC27424DR
制造商: TI 德州仪器
描述:双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
替代型号UCC27424DR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UCC27424DR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

UCC27423DR

德州仪器

完全替代

UCC27424DR和UCC27423DR的区别

UCC27423DG4

德州仪器

完全替代

UCC27424DR和UCC27423DG4的区别

UCC27424D

德州仪器

类似代替

UCC27424DR和UCC27424D的区别

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