UCC27424P

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UCC27424P概述

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27424P  双路芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP


立创商城:
低边 MOSFET 灌:4A 拉:4A


德州仪器TI:
4-A/4-A dual-channel gate driver with enable and 5-V IN handling


欧时:
### MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


e络盟:
MOSFET驱动器双路, 低压侧反相, 4V-15V电源, 4A峰值输出, 30 Ohm输出, DIP-8


艾睿:
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 4A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27424P  MOSFET Driver Dual, Low Side Inverting, 4V-15V supply, 4A peak out, 30 Ohm output, DIP-8


UCC27424P中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 20ns, 15ns

输出接口数 2

输出电压 330 mV

输出电流 4.00 A

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 350 mW

上升时间 40 ns

输出电压Max 450 mV

下降时间 40 ns

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 40 ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 350 mW

电源电压 4V ~ 15V

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

长度 9.81 mm

宽度 6.35 mm

高度 4.57 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UCC27424P引脚图与封装图
UCC27424P引脚图
UCC27424P封装图
UCC27424P封装焊盘图
在线购买UCC27424P
型号: UCC27424P
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  UCC27424P  双路芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8
替代型号UCC27424P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UCC27424P

TI 德州仪器

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UCC27423P

德州仪器

完全替代

UCC27424P和UCC27423P的区别

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