MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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### MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
立创商城:
UCC27323D
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
德州仪器TI:
Inverting 4-A/4-A dual-channel low side gate driver
艾睿:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC Tube
安富利:
MOSFET DRVR 4.5A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 4.5A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS UCC27323D MOSFET Driver Dual, Low Side Inverting, 4V-15V supply, 4A peak out, 30 Ohm output, SOIC-8
电源电压DC 4.00V min
上升/下降时间 20ns, 15ns
输出接口数 2
耗散功率 1.14 W
上升时间 40 ns
输出电流Max 4.5 A
下降时间 40 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1140 mW
电源电压 4.5V ~ 15V
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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