MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
低边 MOSFET 灌:9A 拉:9A
德州仪器TI:
9-A/9-A single-channel gate driver with inverting input, split outputs and enable
欧时:
Texas Instruments UCC37321D MOSFET 功率驱动器, 9A, 4 → 15 V电源, 8引脚 SOIC封装
贸泽:
Gate Drivers Sgl 9-A H-S L-S MOSFET Driver
艾睿:
The UCC37321D power driver from Texas Instruments can provide management of your transistors and switches. This device has a maximum propagation delay time of 70 ns and a maximum power dissipation of 650 mW. Its maximum power dissipation is 650 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has an operating temperature range of 0 °C to 70 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4 V and a maximum of 15 V.
安富利:
MOSFET DRVR 9A 1-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 9A 1-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS UCC37321D MOSFET Driver, Low Side, 4V-15V supply, 9A and 15 ohm output, SOIC-8
电源电压DC 15.0V max
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 1
输出电压 150 mV
输出电流 9 A
耗散功率 650 mW
上升时间 35 ns
下降时间 20 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 650 mW
电源电压 4V ~ 15V
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UCC37321D TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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UCC37321DRG4 德州仪器 | 完全替代 | UCC37321D和UCC37321DRG4的区别 |
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