UCC27611DRVT

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UCC27611DRVT概述

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27611DRVT  门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6

磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas Instruments

Texas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


欧时:
磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON


立创商城:
UCC27611DRVT


德州仪器TI:
4-A/6-A single-channel gate driver with 4-V UVLO and 5-V regulated output


e络盟:
门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6


艾睿:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


安富利:
MOSFET DRVR 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Chip1Stop:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Verical:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Newark:
MOSFET Driver High Side and Low Side, 4V-18V supply, 6A peak out, SON-6


UCC27611DRVT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 5 ns

输出接口数 2

针脚数 6

上升时间 5 ns

下降时间 5 ns

下降时间Max 5 ns

上升时间Max 5 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.75 mm

封装 WSON-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 信号处理, 电源管理, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UCC27611DRVT引脚图与封装图
UCC27611DRVT引脚图
UCC27611DRVT封装图
UCC27611DRVT封装焊盘图
在线购买UCC27611DRVT
型号: UCC27611DRVT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  UCC27611DRVT  门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6
替代型号UCC27611DRVT
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UCC27611DRVT和UCC27611DRVR的区别

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