TEXAS INSTRUMENTS UCC27611DRVT 门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6
磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas Instruments
Texas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
欧时:
磷化镓 MOSFET 栅极驱动器,Texas InstrumentsTexas Instruments 系列高速栅极驱动器特别适合与新技术磷化镓 GaN MOSFET 一起使用。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
立创商城:
UCC27611DRVT
德州仪器TI:
4-A/6-A single-channel gate driver with 4-V UVLO and 5-V regulated output
e络盟:
门驱动器, IGBT/MOSFET, 4V-18V电源, 8A输出, 14ns延迟, SON-6
艾睿:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
安富利:
MOSFET DRVR 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
Chip1Stop:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
Verical:
Driver 8A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R
Newark:
MOSFET Driver High Side and Low Side, 4V-18V supply, 6A peak out, SON-6
电源电压DC 4.00V min
上升/下降时间 5 ns
输出接口数 2
针脚数 6
上升时间 5 ns
下降时间 5 ns
下降时间Max 5 ns
上升时间Max 5 ns
工作温度Max 140 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-6
长度 2.1 mm
宽度 2.1 mm
高度 0.75 mm
封装 WSON-6
工作温度 -40℃ ~ 140℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 信号处理, 电源管理, 替代能源
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UCC27611DRVT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
UCC27611DRVR 德州仪器 | 完全替代 | UCC27611DRVT和UCC27611DRVR的区别 |