UC2715D

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UC2715D概述

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:500mA 拉:1A


德州仪器TI:
0.5-A/1-A dual-channel gate driver with single input and auxiliary output


欧时:
Texas Instruments UC2715D 双 MOSFET 功率驱动器, 2A, 7 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UC2715D  MOSFET Driver, 2 outputs, Low Side, 7V-20V supply, 2A output, SOIC-8


罗切斯特:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


UC2715D中文资料参数规格
技术参数

频率 1 MHz

电源电压DC 7.00V min

上升/下降时间 30ns, 25ns

输出接口数 2

上升时间 60 ns

下降时间 60 ns

下降时间Max 60 ns

上升时间Max 60 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 7V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UC2715D引脚图与封装图
UC2715D引脚图
UC2715D封装图
UC2715D封装焊盘图
在线购买UC2715D
型号: UC2715D
制造商: TI 德州仪器
描述:MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。 ### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
替代型号UC2715D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UC2715D

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

UC2715DTRG4

德州仪器

完全替代

UC2715D和UC2715DTRG4的区别

UC3715NG4

德州仪器

完全替代

UC2715D和UC3715NG4的区别

UC2715DG4

德州仪器

完全替代

UC2715D和UC2715DG4的区别

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