MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
立创商城:
低边 MOSFET 灌:500mA 拉:1A
德州仪器TI:
0.5-A/1-A dual-channel gate driver with single input and one-inverting output
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
欧时:
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
艾睿:
Transistors are never going away, implement this UC3714D power driver by Texas Instruments in order to help turn on and off the transistor. This device has a maximum propagation delay time of 100 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 7 V and a maximum of 20 V. This gate driver has a minimum operating temperature of 0 °C and a maximum of 70 °C.
安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
电源电压DC 20.0V max
上升/下降时间 30ns, 25ns
输出接口数 2
输出电流 1.00 A
下降时间Max 60 ns
上升时间Max 60 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 7V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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