TEXAS INSTRUMENTS UCC37322P 芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8
MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
欧时:
Texas Instruments UCC37322P MOSFET 功率驱动器, 9A, 4 → 15 V电源, 8引脚 PDIP封装
立创商城:
低边 MOSFET 灌:9A 拉:9A
德州仪器TI:
9-A/9-A single-channel gate driver with split outputs, 25-ns prop delay, and enable
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS UCC37322P 芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8
艾睿:
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
安富利:
MOSFET DRVR 9A 1-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
TME:
Driver; low-side switch, gate driver; 9A; Channels:1; DIP8
Verical:
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS UCC37322P MOSFET Driver Single, Low Side, 4V-15V supply, 9A peak out, 15 Ohm output, DIP-8
电源电压DC 15.0V max
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 1
输出电压 150 mV
输出电流 9 A
通道数 1
针脚数 8
耗散功率 0.35 W
上升时间 70 ns
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 350 mW
电源电压 4V ~ 15V
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
长度 9.81 mm
宽度 6.35 mm
高度 4.57 mm
封装 DIP-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UCC37322P TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
UCC37322PG4 德州仪器 | 完全替代 | UCC37322P和UCC37322PG4的区别 |
UCC37322D 德州仪器 | 类似代替 | UCC37322P和UCC37322D的区别 |
TC4421AVPA 微芯 | 功能相似 | UCC37322P和TC4421AVPA的区别 |