














MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
欧时:
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
立创商城:
低边 MOSFET 灌:1.5A 拉:1.5A
德州仪器TI:
1.5-A/1.5-A dual-channel gate driver with 40-V VDD, 40-ns fall time, and dual-inputs for each output
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
贸泽:
门驱动器 Dual High Speed MOSFET Drivers
艾睿:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS UC3706DW MOSFET Driver, 2 outputs, Low Side, 5V-40V supply, 1.5A output, SOIC-16
Win Source:
IC DUAL OUTPUT DRIVER 16-SOIC
电源电压DC 40.0V max
上升/下降时间 40ns, 30ns
输出接口数 2
输出电流 1.5 A
上升时间 140 ns
下降时间 130 ns
下降时间Max 130 ns
上升时间Max 140 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 5V ~ 40V
电源电压Max 40 V
电源电压Min 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
长度 10.28 mm
宽度 7.52 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-16
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UC3706DW TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
UC3706DWTR 德州仪器 | 完全替代 | UC3706DW和UC3706DWTR的区别 |
UC3706DWG4 德州仪器 | 完全替代 | UC3706DW和UC3706DWG4的区别 |
UC2706DW 德州仪器 | 类似代替 | UC3706DW和UC2706DW的区别 |