MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
立创商城:
UC3709DW
德州仪器TI:
1.5-A/1.5-A dual-channel gate driver with 40-V VDD, 25-ns prop delay, and regulated 5-V output
欧时:
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
贸泽:
门驱动器 Inverting High-Speed
艾睿:
Use the UC3709DW power driver from Texas Instruments to turn on and off your high-power transistors! This device has a maximum propagation delay time of 25 ns and a maximum power dissipation of 1000 mW. Its maximum power dissipation is 1000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has an operating temperature range of 0 °C to 70 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 5 V and a maximum of 40 V.
安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT High Speed Inv 16-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 16-Pin SOIC Tube
电源电压DC 40.0V max
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 2
耗散功率 1000 mW
上升时间 80 ns
下降时间 80 ns
下降时间Max 80 ns
上升时间Max 80 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 5V ~ 40V
电源电压Min 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
长度 10.28 mm
宽度 7.52 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-16
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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