200mW，UDZS 系列，ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor
额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 3.6V \---|--- 平均Typ.| V 最大max.| 3.845V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 100Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 10uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Zener diode Constant voltage control Compact, 2-pin mini-mold type for high-density mounting. UMD2 Non-wire bonding structure improves. Silicon epitaxial planar 描述与应用| 齐纳 恒压控制 结构紧凑，2针小型模具类型高密度安装。 （UMD2） 非焊线结构改善。 硅外延平面
额定电压DC 3.60 V
容差 ±3 %
额定功率 200 mW
耗散功率 200 mW
测试电流 5 mA
稳压值 3.6 V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.7 mm
封装 SOD-323
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UDZSTE-173.6B ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UDZSTE-176.2B 罗姆半导体 | 类似代替 | UDZSTE-173.6B和UDZSTE-176.2B的区别 |
UDZSTE-175.1B 罗姆半导体 | 类似代替 | UDZSTE-173.6B和UDZSTE-175.1B的区别 |
UDZSTE-177.5B 罗姆半导体 | 类似代替 | UDZSTE-173.6B和UDZSTE-177.5B的区别 |