ROHM UDZSTE-175.6B 单管二极管 齐纳, 5.6 V, 200 mW, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 5.49V \---|--- 平均Typ.| 5.6V 最大max.| 5.73V 误差Tolerance| 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 60Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 1uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Zener diode Constant voltage control Compact, 2-pin mini-mold type for high-density mounting. UMD2 Non-wire bonding structure improves. Silicon epitaxial planar 描述与应用| 齐纳 恒压控制 结构紧凑，2针小型模具类型高密度安装。 （UMD2） 非焊线结构改善。 硅外延平面
额定电压DC 5.60 V
容差 ±2 %
额定功率 200 mW
针脚数 2
耗散功率 200 mW
测试电流 5 mA
稳压值 5.6 V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
长度 1.85 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOD-323
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UDZSTE-175.6B ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UDZVTE-175.6B 罗姆半导体 | 完全替代 | UDZSTE-175.6B和UDZVTE-175.6B的区别 |
UDZTE-175.6B 罗姆半导体 | 完全替代 | UDZSTE-175.6B和UDZTE-175.6B的区别 |
UDZUTE-175.6B 罗姆半导体 | 功能相似 | UDZSTE-175.6B和UDZUTE-175.6B的区别 |