UDZTE-178.2B参数规格_中文资料_数据手册PDF

UDZTE-178.2B概述

稳压二极管 8.2V 5MA

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 UMD2

得捷:
DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2

贸泽:
稳压二极管 8.2V 5MA

Chip1Stop:
Diode Zener Single 8.19V 2% 200mW 2-Pin UMD T/R

Win Source:
DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2

UDZTE-178.2B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

耗散功率 200 mW

测试电流 5 mA

稳压值 8.2 V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.7 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

UDZTE-178.2B引脚图与封装图

在线购买UDZTE-178.2B

型号： UDZTE-178.2B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：稳压二极管 8.2V 5MA

替代型号UDZTE-178.2B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UDZTE-178.2B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
UDZSTE-178.2B 罗姆半导体	完全替代	UDZTE-178.2B和UDZSTE-178.2B的区别
UDZTE-175.6B 罗姆半导体	类似代替	UDZTE-178.2B和UDZTE-175.6B的区别
UDZTE-177.5B 罗姆半导体	功能相似	UDZTE-178.2B和UDZTE-177.5B的区别