单晶体管 双极, NPN, 12 V, 320 MHz, 120 mW, 500 mA, 270 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN + Diode Isolated 12V 500mA 320MHz 120mW Surface Mount UMT5
得捷:
TRANS NPN 12V 0.5A UMT5
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Complex Bipolar DC-DC Converter
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 320 MHz, 120 mW, 500 mA, 270 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 5-Pin UMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 5-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 5-Pin UMT T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 5-Pin UMT T/R
DeviceMart:
TRANS NPN/DIODE 12V 500MA UMT6
Win Source:
TRANS NPN 12V 0.5A UMT6
频率 320 MHz
额定功率 0.15 W
针脚数 5
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
增益频宽积 320 MHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
额定功率Max 120 mW
直流电流增益hFE 270
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
