双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIPOLAR PNP
Bipolar BJT Transistor PNP 12V 3A 280MHz 1W Surface Mount TUMT6
得捷:
TRANS PNP 12V 3A TUMT6
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIPOLAR PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 6-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 3A 6-Pin TUMT T/R
额定功率 1 W
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 270 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UMT-6
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 UMT-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
US6T4TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1705TL 罗姆半导体 | 功能相似 | US6T4TR和2SB1705TL的区别 |
QST4TR 罗姆半导体 | 功能相似 | US6T4TR和QST4TR的区别 |