TUMT PNP 30V 2A
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 2A 360MHz 1W Surface Mount TUMT6
得捷:
TRANS PNP 30V 2A TUMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR 30V 2A
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R
Win Source:
TRANS PNP 30V 2A TUMT6 / Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 2 A 360MHz 1 W Surface Mount TUMT6
频率 360 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
增益频宽积 360 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SMD-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
US6T6TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1690KT146 罗姆半导体 | 功能相似 | US6T6TR和2SB1690KT146的区别 |
2SB1690TL 罗姆半导体 | 功能相似 | US6T6TR和2SB1690TL的区别 |
2SB1730TL 罗姆半导体 | 功能相似 | US6T6TR和2SB1730TL的区别 |