US6T5TR概述
TUMT PNP 30V 2A
Bipolar BJT Transistor PNP 30V 2A 280MHz 400mW Surface Mount TUMT6
得捷:
TRANS PNP 30V 2A TUMT6
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 2A 6-Pin TUMT T/R
US6T5TR中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买US6T5TR