TUMT NPN 12V 2A
Bipolar BJT Transistor NPN 12V 2A 360MHz 1W Surface Mount TUMT6
得捷:
TRANS NPN 12V 2A TUMT6
艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 2A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 2A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 12V 2A 6-Pin TUMT T/R
频率 360 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TUMT-6
封装 TUMT-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
US6X5TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD2653TL 罗姆半导体 | 类似代替 | US6X5TR和2SD2653TL的区别 |
2SD2653KT146 罗姆半导体 | 功能相似 | US6X5TR和2SD2653KT146的区别 |
2SD2700TL 罗姆半导体 | 功能相似 | US6X5TR和2SD2700TL的区别 |