US6X6TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

US6X6TR概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN BIPOLAR 30V 1.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 1.5A 300MHz 1W Surface Mount TUMT6

得捷:
TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN BIPOLAR 30V 1.5A

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R

US6X6TR中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TUMT-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 TUMT-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US6X6TR

型号： US6X6TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN BIPOLAR 30V 1.5A

替代型号US6X6TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
US6X6TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
2SD2657TL 罗姆半导体	类似代替	US6X6TR和2SD2657TL的区别
QSX6TR 罗姆半导体	类似代替	US6X6TR和QSX6TR的区别
2SD2657KT146 罗姆半导体	功能相似	US6X6TR和2SD2657KT146的区别